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�?sh��)力电(sh��)子实验装�?span>

1.必须采用模块化设计，模块采用全透明亚克力外���I��能直观的看到内部�?sh��)�\�l�构、元器�g及电(sh��)路板丝印标识。外壛_��部装有强力磁矻I��可以吔R��在支架的�|�孔背板上，位置可以��L��挪动。模块之间可靠连接，方便�l�合搭配和拆卸。要求标书内附有�W�合此项要求的��品实物照片或囄����Q��ƈ加以说明具体的实现方式；

2.MOSFET功率�?sh��)�\要求采用大功�?span>MOSFET�Q?span>600V/25A�Q�的半桥型电(sh��)路结构，�q�带有隔��ȝ��驱动�?sh��)�\及保护电(sh��)�?span>,可以�l�合成半桥�?span>H桥、三相全桥的功率�?sh��)�\�l�构�?span>

3.要求提供SPWM控制模块�Q�可以输出相位互�?span>120���?span>6�?span>PWM波，占空比、频率可调且��d��旉����?span>2us。三相正弦调制�L频率20�?span>200Hz可调�Q�蝲波频�?span>5K~20KHz可调。以上信号均可示波器���量�Q?span>

4.要求提供PWM控制模块�Q�可以输出相位互�?span>180���?span>2�?span>PWM波，占空比、频率可调且��d��旉����?span>2us。调制�L�q�值可调，载�L频率5KHz�?span>10KHz�Q?span>20KHz三档可选。以上信号均可示波器���量�Q?span>

5.要求配有独立的三�?span>LC滤�L模块�Q?span>L=1mH�Q?span>C=22uF�Q�且参数可定�Ӟ��

6.要求模块的硬件接口和�?sh��)�\�U��\囑֮�全开放。装�|�的所有电(sh��)路结构、线路原理图全部开放；所有功能接口的信号定义、特性、功能和技术指标全部开放。要求标书内附有IGBT半桥�l�构的模块电(sh��)路图截图和说明性资料；

7.讑֤�����g可与NI仿真器做无缝�Ҏ(gu��)���Q�进行半实物仿真及设计性实验；

8.实验要求�Q?span>

�Q?span>1�Q?span>MOSFET�Ҏ(gu��)��实�?span>

�Q?span>2�Q?span>PWM控制原理实验

�Q?span>3�Q?span>SPWM控制原理实验

�Q?span>4�Q�降压斩波电(sh��)路（Buck Chopper�Q�实�?span>

�Q?span>5�Q�升压斩波电(sh��)路（Boost Chopper�Q�实�?span>

�Q?span>6�Q�升降压斩�L�?sh��)�\�Q?span>Boost-Buck Chopper�Q�实�?span>

�Q?span>7�Q�单相全桥逆变�?sh��)�\实验

�Q?span>8�Q�三相桥式逆变�?sh��)�\实验

�Q?span>9�Q�单相半波可控整���电(sh��)路实�?span>

�Q?span>10�Q�单相桥式全控整���电(sh��)路实�?span>

�Q?span>11�Q�三相半波可控整���电(sh��)路实�?span>

�Q?span>12�Q�三相桥式全控整���电(sh��)路实�?span>

�Q?span>13�Q�单�怺����调压实�?span>